C60 के धातु केन्द्र से उपसहसंयोजन आबन्धन में सामान्य रूप से प्रेक्षित हैप्टिसिटी है।

संकल्पना:

→ किसी धातु केंद्र की उपसहसंयोजन संख्या उसमें जुड़ सकने वाले लिगैंड की संख्या से निर्धारित होती है। C₆₀ के मामले में, यह धातु केंद्र को अपने π-इलेक्ट्रॉनों का दान करके, एक उपसहसंयोजन संकुल बनाकर, लिगैंड के रूप में कार्य कर सकता है।

→ C₆₀ में एक गोलाकार संरचना होती है जिसमें षट्भुजों और पंचभुजों के पैटर्न में व्यवस्थित 60 कार्बन परमाणु होते हैं, जो इसे एक पिंजरे जैसी संरचना प्रदान करते हैं। इसमें 60 π-इलेक्ट्रॉन होते हैं जो धातु केंद्र के साथ उपसहसंयोजन में भाग ले सकते हैं।

→ ये π-इलेक्ट्रॉन पूरे अणु में विस्थानीकृत होते हैं, जिससे C₆₀ एक अच्छा इलेक्ट्रॉन दाता बन जाता है और धातु आयनों के साथ उपसहसंयोजन करने में सक्षम होता है।

→ जब C₆₀ किसी धातु केंद्र के साथ उपसहसंयोजन करता है, तो धातु आयन प्रत्येक C₆₀ अणु से अधिकतम दो π-इलेक्ट्रॉनों को ग्रहण कर सकता है। ऐसा इसलिए है क्योंकि प्रत्येक C₆₀ अणु में कुल 60 π-इलेक्ट्रॉन होते हैं, और धातु आयन C₆₀ में 30 द्विबंधों में से प्रत्येक से दो इलेक्ट्रॉनों को ग्रहण कर सकता है।

व्याख्या:

→ हेप्टाकोऑर्डिनेट धातु केंद्र वाले C₆₀ उपसहसंयोजन संकुल का एक उदाहरण [Ru(bpy)₃]₂(C₆₀) है, जहाँ bpy 2,2'-बाइपिरिडीन के लिए है।

→ इस संकुल में, रूथेनियम(II) आयन धातु केंद्र के रूप में कार्य करता है, और C₆₀ अणु फुलरीन पिंजरे में π-इलेक्ट्रॉनों के माध्यम से इसके साथ उपसहसंयोजन करता है।

→ हेप्टाकोऑर्डिनेट ज्यामिति रूथेनियम केंद्र में तीन बाइपिरिडीन लिगैंडों के उपसहसंयोजन द्वारा प्राप्त की जाती है, प्रत्येक दो नाइट्रोजन एकाकी युग्मों का दान करता है, जिसके परिणामस्वरूप छह उपसहसंयोजन स्थल अधिग्रहीत होते हैं।

→ शेष उपसहसंयोजन स्थल C₆₀ अणु से दो π-इलेक्ट्रॉनों द्वारा अधिग्रहीत किए जाते हैं, जिसमें फुलरीन का प्रत्येक द्विबंध रूथेनियम आयन को π-इलेक्ट्रॉनों का एक युग्म दान करता है।

कुल मिलाकर, प्रत्येक C₆₀ अणु धातु केंद्र को दो π-इलेक्ट्रॉन दान करता है, जिसके परिणामस्वरूप एक स्थिर उपसहसंयोजन संकुल के साथ एक हेप्टाकोऑर्डिनेट रूथेनियम(II) आयन बनता है। [Ru(bpy)₃]₂(C₆₀) संकुल का अध्ययन इसके विद्युत रासायनिक और प्रकाश रासायनिक गुणों के लिए किया गया है, जो C₆₀ की धातु केंद्र के लिए लिगैंड के रूप में कार्य करने और π-इलेक्ट्रॉनों को दान करने की क्षमता को दर्शाता है।

निष्कर्ष:
इसलिए, धातु केंद्र के लिए C₆₀ के उपसहसंयोजन के लिए देखा गया सामान्य हेप्टासिटी 2 है, जिसका अर्थ है कि प्रत्येक C₆₀ अणु धातु केंद्र के साथ उपसहसंयोजन कर सकता है और अधिकतम दो π-इलेक्ट्रॉनों का दान कर सकता है। इसके परिणामस्वरूप प्रत्येक C₆₀ अणु द्वारा धातु केंद्र को 14 π-इलेक्ट्रॉनों का दान होता है, जिससे एक स्थिर उपसहसंयोजन संकुल बनता है।